Во-первых сами ячейки памяти чипа DDR II абсолютно точно такие же, как на DDR I. И что особенно важно - работают они с точно такой же скоростью. Но вот ширина шины по которой данные из ячеек передаются в буферы ввода-вывода увеличена в два раза. В результате за один такт, передается в два раза больше информации, между ячейками памяти и буфером.
Во-первых сами ячейки памяти чипа DDR II абсолютно точно такие же, как на DDR I. И что особенно важно - работают они с точно такой же скоростью. Но вот ширина шины по которой данные из ячеек передаются в буферы ввода-вывода увеличена в два раза. В результате за один такт, передается в два раза больше информации, между ячейками памяти и буфером. Далее - задача буфера ввода вывода, преобразовать параллельный поток данный в последовательный (мультиплексирование). Кстати, ту же самую архитектуру имеет и DDR I. Но скорость обмена буферов DDR II с контроллером памяти в два раза выше (оно и понятно - нужно передать в два раза больше информации). Фактически это и есть описание отличий DDR II от DDR I. Перечислим основные различия между DDRII и DDR I. | DDR II | DDR I | Частота (Transfer rate) | 100/133/166Мгц (400/533/666) | 100/133/166/200Мгц (200/266/333/400) | Prefetch Size | 4-bit | 2-bit | Burst Length | 4/8 | 2/4/8 | Data Strobe | Differential Data Strobe | Single Data Strobe | Напряжение питания | 1.8V | 2.5V | Интерфейс ввода-вывода | SSTL_18 | SSTL_2 | Потребляемая мощность | 247mW | 527mW | Упаковка чипа | FBGA | FBGA / TSOP | Набор команд | Одинаковый | Основные тайминги | Одинаковые | Новые функции | ODT ; OCD Calibration ; Posted CAS ; AL (Additive Latency) | - |
Также чипы DDRII поддерживают внутричиповое терминирование сигнала. То есть непосредственно в чипах памяти (именно отсюда пошло название On-Die Termination) установлены резисторы, которые гасят сигналы отраженные от конца шины. Ранее подобные резисторы устанавливались на материнской плате, около слотов DIMM. Следующая новинка - технология AL (Additive Latency). Этот механизм введен для решения проблемы с одновременной подачей команд на инициализацию банка памяти при запросе на чтение предыдущего инициализированного банка. Эта проблема не была решена в памяти DDR I, но в любом случае, особого влияния на производительность она не оказывала. Теперь пара слов о латентности памяти DDR II, которая значительно превосходит латентность DDR I. Для примера типичная латентность модулей DDR I - 400 равна 10нс (2-3-2), тогда как латентность DDRII-533 равна уже 15нс (4-4-4). Чуть лучше обстоят дела с латентностью памяти DDRII-666 (4-4-4), которая равна 12нс. Но все равно при работе с реальными приложениями с критичными требованиями к латентности, система с DDRII будет показывать меньшую производительность. Пара слов о самих модулях. Итак, модуль DDR2 имеет 240 контактов и рабочее напряжение питания = 1.8V. В настоящее время в основном выпускаются модули DDR2-533 (иное обозначение PC2-4300), и модули DDR2-400 (PC2-3200). Сами модули могут иметь объем: 256 Мбайт, 512 Мбайт и 1 Гбайт. Обратите внимание, что чипы DDR2 модуля имеют упаковку FBGA (Fine Ball Grid Array). Данный вид упаковки значительно снижает электромагнитное воздействие чипов друг на друга. Вообще то, некоторые модули DDR1 также изготавливались с чипами подобной упаковки, но это было скорее исключение (в голову приходит только один пример - продукция той же компании Kingmax). А в основном использовались чипы в упаковке TSOP. Tак выглядит модуль памяти DDR2 в сравнении с DDR400: немного сдвинулся ключ и увеличилось число контактов: 
| Модуль памяти DDR2-533 (от Micron, вверху) в сравнении с DDR400 (от Kingmax, внизу). |
Напряжение питания уменьшилось до 1,8 вольт и в активной работе чипы DDR2-533 остаются практически холодными. |